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2019年中國5G驅動射頻和物聯網芯片行業市場發展現狀及未來趨勢分析[圖]

2019年08月05日 14:24:38字號:T|T

    一、5G驅動射頻和物聯網芯片量價齊升,泛射頻迎來市場機遇

    5G商用已至,泛射頻迎來市場機遇。

    射頻前端是通信設備關鍵底層技術,在聯網設備大規模增長趨勢下,射頻前端是成長最快最確定方向之一。

    對于智能手機等通信終端設備,位于天線和射頻收發器之間的所有組件統稱爲射頻前端。射頻前端是通信設備的核心,具有收發射頻信號的重要作用,並決定了通信質量、信號功率、信號帶寬、網絡連接速度等諸多通信指標。以智能手機爲代表,其蜂窩、藍牙、Wi-Fi、GPS、NFC等射頻前端模塊使得文字/語音/視頻通信、上網、高清音視頻、定位、文件傳輸、刷卡等應用得以實現。

    射頻前端可按形態分爲分立器件和射頻模組,也可按功能分爲不同功能組件。

    按功能不同,分立器件可分爲濾波器、功率放大器(PA)、射頻開關、天線調諧、低噪放(LNA)、包絡芯片等。其中濾波器負責發射及接收信號的濾波;PA負責發射路徑的射頻信號放大;射頻開關負責接收、發射路徑之間的切換;天線調諧用于匹配阻抗以提升傳輸功率;LNA用于接收路徑中的小信號放大;包絡芯片用于控制電壓以最小化功耗。按集成度不同射頻模組可以分爲低、中、高集成度模組,如高度模組包括PAMiD、LNADivFEM等。

簡化的射頻前端示意圖

數據來源:公開資料整理

主要射頻前端芯片功能與工藝

Component
元器件
工藝
功能
-
-
Filter
濾波器
SAW、BAW、FBAR、
IPD、SMD、LTCC
對發射/接收的射頻信號濾波,通常用作雙工器或雙工器組成
單元,用來組合或分離多個頻帶
-
-
PA
功率放大器
CMOS、GaAsHBT/GaN
將低功率射頻信號轉換爲高功率射頻信號
RFSwitch
射頻開關
GaAspHEMT、SOI、MEMS
選擇天線和哪個發射/接收器或收發器連通
AntennaTuner
天線調諧
MEMS、BST
由開關構成,連接天線和收發器,匹配阻抗以提升傳輸功率
LNA
低噪放
SOI、GaAs
保證信噪比的前提下對小功率信號進行放大
ET
包絡芯片
GaN、CMOS
通過控制電壓以最小化功耗的技術

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主要射頻模組功能與集成度

Module
模組
集成度
功能或集成方式
ASM
天線開關模組
低度
集成天線和開關
FEM
前端模組
低度
集成開關和濾波器
DivFEM
分集前端模組
中度
集成FEM的分集模組
FEMiD
雙工前端模組
中度
集成雙工的前端模組
PAiD
PA和雙工模組
中度
集成PA和雙工
SMMBPA
單模多頻功放
中度
支持單模式多頻帶的PA模組(3G/4G)
MMMBPA
多模多頻功放
中度
支持多模式多頻帶的PA模組(3G/4G)
RXModule
射頻發射器
中度
調制加載數據,並發射無線電波
TXModule
射頻接收器
中度
集成PA、開關的發射模組,接收調制信號並解調
PAMiD
PAMiD前端模組
高度
集成MMMBPA和FEMiD
LNADivFEM
LNA分集前端模組
高度
集成DivFEM和LNA

數據來源:公開資料整理

    典型智能機包含6到數十個射頻模組或器件,但由于模組內集成有大量器件,實際單機器件數可能多達50-100多個。目前中高端智能手機射頻前端ASP在14-28美元,濾波器、PA、射頻開關合占射頻前端單機價值9成。隨著MIMO升級和5G射頻前端重構,頻帶擁擠對前端線性度要求的提高,以及高功率對功耗要求的提高,天線調諧、LNA、包絡芯片的需求也迎來增長。

典型中高端智能手機射頻前端所需的器件數量和單機價值

射頻前端器件
單機數量
單機價值(美元)
平均價值占比
濾波器
40-100
7月14日
50%
PA
2月5日
3月7日
25%
射頻開關
2月8日
2月4日
15%
天線調諧
2月4日
1月2日
7%
LNA
2月6日
0.4-0.8
2%
包絡芯片
0-1
0.2-0.5
1%
合計
48-124
14-28
100%

數據來源:公開資料整理

    數據需求爆發、通信技術升級、終端設計創新等因素正推動射頻前端需求和價值的快速提升。根據IHS無線半導體競爭報告數據,過去7年手機射頻前端市場已從2010年的43億美元增長到2017年的134億美元,複合年均增長超過17.7%,增速是整個半導體市場的5倍。根據YOLE數據,2017年手機射頻前端市場爲160億美元,預計到2023年增長到352億美元,未來6年複合增長率達14%,仍是半導體行業增長最快的子市場。

射頻前端細分市場預測及其驅動因素(億美元)

前端器件
2017
2023
CAGR
驅動因素
濾波器
80
225
19%
濾波器是射頻前端最大且增長最快的子市場,其增長主要來自四個方面:(1)5G超高頻推動高端BAW濾波器滲透率提升,(2)Wi-Fi分集天線隔離頻帶對共存濾波器的需求,(3)天線數量增加,(4)多載波聚合增加濾波器需求。
PA
50
70
6%
盡管多模多頻減少PA用量,但高端的高頻和超高頻PA市場的增長將彌補2G/3G市場的萎縮。PAMiD是目前價值最高的前端模組,有望提高PA價值量。
射頻開關
10
30
20%
射頻開關市場的增長主要來自4x4MIMO新增射頻路徑對分集開關的需求,以及天線和頻段增加對天線開關的需求。
天線調諧
4.63
10
14%
天線調諧的增長主要來自4X4MIMO滲透提升,而2018-2020年4X4MIMO有望逐步普及。另外,主天線和分集天線的增長也將提升天線調諧需求。
LNA
2.46
6.02
16%
高頻化趨勢下,LNA面臨更高線性度要求,其工藝有望轉向高級SOI先進工藝。LNA市場的增長主要來自分集模組的應用,PA模組集成以及新增天線的應用。
合計
160
352
14%
5G趨勢下,網絡高頻化、前端模組化以及通信技術創新驅動射頻前端價值增長。

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    二、射頻開關:頻段和調諧需求不斷提升,未來4年射頻開關市場有望翻倍

    射頻開關是射頻前端中實現信號切換的關鍵,具有共用天線、節省成本等優點。射頻開關通過控制邏輯連通多路信號中的任一路或幾路,實現接收與發射或者不同頻段信號的切換,以達到共用天線、節省成本的目的。射頻開關根據用途不同可分爲移動通信傳導開關、WiFi開關、天線調諧開關等;根據刀數和擲數不同,可分爲單刀單擲(SPST)、單刀雙擲(SPDT)、單刀多擲(SPNT)和多刀多擲(NPNT)開關。以單刀雙擲開關爲例,其工作原理是:當控制端口加上正電壓時,連接端口1與端口3的電路導通,同時連接端口2與端口3的電路斷開;當控制端口加上零電壓時,連接端口1與端口3的電路斷開,同時連接端口2與端口3的電路導通。

射頻開關是是射頻前端中實現信號切換的關鍵

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射頻開關工作原理

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    高性能射頻開關應具有低插入損耗、高隔離度。射頻開關主要指標有工作頻率、工作帶寬、插入損耗、隔離度、功率容量等,其中插入損耗和隔離度是重要性能指標。插入損耗在發射端影響輸出功率,在接收端影響接收靈敏度,因此插入損耗越低越好。而對射頻開關的信道隔離能有效降低系統幹擾,因此隔離度越高越好。隨著射頻前端複雜度的提高,射頻開關朝高性能方向發展,插入損耗可低至0.1dB以下,隔離度可高達幾十dB。根據Skyworks官網,其滿足高隔離低插損的開關産品共有58件。村田UltraCMOSPE42562、PE42582、PE42512開關可覆蓋9kHz-8GHz頻段範圍,具有極高隔離度和較低插損,且開關時間達到200納秒級別。

射頻開關主要指標含義與最優取值

指標
含義
何時最優
工作頻率
射頻開關工作時的中心頻率
合理取值
工作帶寬
滿足全部性能指標的頻率範圍
合理範圍
插入損耗
IL
指開關處于導通狀態下的損耗總功率,IL(dB)=|Pout(dBm)-Pin(dBm)|,主要由開關
的導通阻抗決定,導通阻抗越小,則插入損耗越小
越小越好
隔離度
Iso
開關關斷時泄露輸出信號功率與輸入功率之差,Iso(dB)=|Pleakage(dBm)-Pin(dBm)|。
隔離度越大表示開關的輸入端和輸出端之間的影響越小,開關性能越好
越大越好
功率容量
開關可承受的最大功率,分爲導通功率容量和截止功率容量,取兩者較小者。由于輸入信號
越大,開關線性度越差,功率容量可在信號最大功率輸入時,保證一定的線性度
越大越好

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村田三種高擲數開關參數性能一覽表

指標
PE42562
PE42582
PE42512
配置
SP6T
SP8T
SP12T
寬頻範圍
9kHz-8GHz
9kHz-8GHz
9kHz-8GHz
6GHz高隔離度
35dB
41dB
39dB
6GHz低插損
1.1dB
1.1dB
1.3dB
快速開關時間
210納秒
227納秒
232納秒

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    隨著工藝技術的發展,SOI已替代GaAs成爲當前射頻開關主流工藝。出于産品性能考慮,射頻開關最早采用GaAs工藝實現。而隨著SOI工藝改善,其襯底薄絕緣層可實現高擊穿電壓和低漏電流,進而能在寬頻範圍內提供低插損、高線性,因此SOI射頻開關開始在中低性能應用場景下替代GaAs射頻開關,並且不斷向高性能方向擴展。時至今日,SOI已經成爲射頻開關主流工藝,其市場份額從2010年的不足20%,快速增長到2018年的96%。SOI基于標准硅基CMOS工藝發展而來,因此具有極佳的工藝兼容性和成本優勢,具有可集成射頻開關、天線調諧、LNA、PA等器件的能力。除少數極端場景需使用MEMS工藝射頻開關以外,目前移動終端射頻開關以SOI工藝爲主;並且由于SOI的性能適用于5G頻段,因此短期內仍將保持主流。

射頻開關工藝比較

工藝
性能
工藝兼容性
成本
應用現狀
GaAs
早期較好,現略優于SOI
一般
較高
早期主流,現很少使用
SOI
早期較差,現可比GaAs
最優
較低
目前主流工藝
MEMS
最優
最差
最高
高性能非主流工藝,用于天線調諧開關

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    頻段數量增加、金屬外殼滲透提升增加單機射頻開關需求,預計5G手機射頻開關單機用量將達12-18個。2011年智能手機支持的頻段不超過10個,2019年高端智能機支持的頻段接近40個,而未來5G手機有望支持70個甚至更多頻段數量,因此需要增加更多射頻開關用于信道切換。與此同時,智能手機現多采用手感和外觀更好的金屬外殼,一定程度造成對信號的屏蔽,因此需增加天線調諧開關用于提高信號接收能力。目前4G手機射頻開關單機用量爲6-8個,預計5G手機單機用量將達到12-18個,單機用量翻倍增長。

智能手機支持的單機頻段數量不斷增長

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金屬外殼在智能手機的滲透率不斷提升

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    5G加速射頻開關需求增長,未來4年全球射頻開關市場有望翻倍。根據QYRElectronicsResearchCenter統計,2011年以來全球射頻開關市場持續增長,2018年全球市場規模16.54億美元,預計2023年市場將達35.6億美元,2018-2023年複合增長率達16.55%。而據我們測算,2019-2023年智能手機出貨量從16億增長到18億,射頻開關單機數量從6個增長到14個,平均單價從0.16美元降至0.12美元,對應市場將從2019年的15.4億美元增至2023年的30.2億美元,年均複合增速高達18%。

射頻開關單機用量

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全球射頻開關市場持續快速增長

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    美日廠商合占射頻開關市場近80%份額,卓勝微率先實現國産突破。

    目前全球射頻芯片公司數量超1萬家,其中射頻開關公司有80多家。射頻開關龍頭公司包括美國的Skyworks、Qorvo、Broadcom和日本的Murata等,4家公司合計占據全球射頻開關市場份額的77%,其射頻開關産品覆蓋高端機型,比如蘋果iPhoneX/XSMax/XR、三星Galaxy系列、華爲Mate系列等。卓勝微作爲全球第五大、國內第一大射頻開關公司,産品以中低端機型爲主,目前已取得全球5%市場份額,率先實現國産突破;並且隨著與客戶合作的加深,其份額有望繼續擴大。

主要射頻開關公司的營收排名和市占率

排名
公司
地區
2017年射頻開關營收(億美元)
射頻開關市占率
1
Skyworks
美國
4.78
33%
2
Qorvo
美國
2.89
20%
3
Murata
日本
2.03
14%
排名
公司
地區
2017年射頻開關營收(億美元)
射頻開關市占率
4
Broadcom(Avago)
美國
1.45
10%
5
卓勝微
中國
0.71
5%
其他
2.62
18%
-
-
合計
14.48
100%
-
-

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射頻開關市場份額

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    部分國産廠商在射頻開關領域初具實力,但整體仍尚未形成規模。

    相較其他射頻芯片,射頻開關是相對壁壘較低且競爭較爲充分的市場。美日廠商在設計領域絕對領先,擁有最高性能的射頻開關産品和射頻模組能力,綜合實力雄厚。台灣企業在晶圓代工、封裝測試等制造環節占據重要位置。大陸廠商由于和國際巨頭在技術、專利、工藝等方面存在差距,因此集中在設計領域,主要供應中低端SOI射頻開關産品,競爭壓力較大。

國內主要射頻開關公司概況

公司
業務概況
卓勝微
發明拼版式集成射頻開關,極大縮短了射頻開關的供貨周期、提高了備貨能力,申請多項發明專利,打入三星供應鏈,聚焦大品牌客戶。
韋爾股份
國內領先的半導體器件設計和銷售公司,業績連續多年保持穩定增長。主營産品包括保護器件、功率器件、電源管理器件、模擬開關等四條産品線。射頻前端産品主要是射頻開關、LNA、天線調諧等。
紫光展銳
紫光旗下的芯片設計公司,産品包括移動通信基帶芯片、射頻前端芯片、無線連接芯片、安全芯片、電視芯片和圖像傳感器芯片等。
唯捷創芯
成立于2010年,總部位于天津,主要從事射頻與高端模擬集成電路的設計、生産與銷售。
國民飛骧
2015年從A股上市公司國民技術中分拆獨立,原爲國民技術無線射頻産品事業部,2010年開始開發國産射頻功率放大器和射頻開關。
德清華瑩
1)主要産品包括钽酸锂、铌酸锂壓電晶體材料、聲學濾波器和射頻開關等,GaAs/SOI射頻開關在華爲、中興等移動終端廣泛應用,年出貨量2億只。2)股東實力雄厚。第一大股東中電55所國博公司具有分集開關、天線調諧開關、CA開關等完整射頻開關系列,能滿足各類移動終端需求,第二大股東是業內領先的移動終端天線及模組供應商信維通信。

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    三、射頻LNA:2023年市場達18億美元,分散格局下國産公司有望提升份額

    LNA是用于對接收信號功率放大的核心器件,廣泛用于手機等各類通信終端。

    由于基站的發射功率有限,並且通信終端與基站之間存在一定距離,通常終端天線接收到的信號非常微弱,移動通信系統需要對終端天線接收到的信號放大以進行後續處理。一般放大器在放大信號的同時會引入噪聲,而LNA在放大接收信號的同時會盡量抑制噪聲,以實現更好通話質量和更高傳輸速率,因此得到廣泛應用。

    5G加速LNA需求增長,2023年全球LNA市場將達18億美元。據QYRElectronicsResearchCenter統計,2018年全球LNA收入爲14.21億美元,連續多年保持增長。5G趨勢下手機頻段、信道和天線數量增多,而單個LNA能承載的頻率範圍有限,因此對LNA的需求大幅增加。單機用量方面,3G手機LNA單機用量1-2顆,4G手機LNA單機用量3-6顆,預計5G手機單機用量7-10顆。

    我們認爲,5G商用將推動全球LNA市場在2020年迎來增速高峰,預計2023年全球LNA市場有望達17.94億美元。

射頻LNA單機用量

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全球LNA市場持續穩定增長

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    LNA市場格局分散,國産公司仍有較大提升空間。

    LNA前五大龍頭Broadcom、ONSemiconductor、Infineon、TI、NXP的相關營收占全市場52%,遠低于射頻開關前五大公司營收占比的82%,市場格局較爲分散。國産LNA公司目前也處于小而散狀態,以低端2/3G頻段市場爲主,整體出貨規模較小,價格戰和市場競爭較爲激烈。國産LNA廠商中,2017年卓勝微LNA芯片業務實現營收0.17億美元,市場份額僅有1.3%,提升空間巨大。另外,唯捷創新、國民飛骧和銳迪科等以射頻前端模塊産品提供爲主,較少單獨供貨LNA産品。

LNA市場份額

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LNA公司營收排名和市占率

排名
公司
地區
2017年LNA營收(億美元)
市占率
1
Broadcom
美國
2.07
15.40%
2
ONSemiconductor
美國
1.64
12.20%
3
Infineon
德國
1.21
9.00%
4
TI
美國
1.01
8.00%
5
NXP
荷蘭
0.99
7.40%
/
卓勝微
中國
0.17
1.30%
其他
6.33
46.70%
-
-
合計
13.42
100%
-
-

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國産LNA公司業務概況

公司
業務概況
卓勝微
發明了CMOS開關式低噪聲放大器設計方法,極大地縮短了射頻低噪聲房貸去的供貨周期、提高了備貨能力,並申請了發明專利,打入三星、小米等供應鏈,聚焦大品牌客戶。
韋爾股份
國內領先的半導體器件設計和銷售公司。主營産品包括保護器件、功率器件、電源管理器件、模擬開關等四條産品線,射頻前端産品主要是射頻開關、LNA、天線調諧。
矽磊電子
總部位于安徽合肥,在深圳和上海設有市場和銷售中心。致力于設計研發模擬和射頻前端芯片産品,並提供面向智能穿戴、移動通訊和物聯網應用的集成電路解決方案。LNA噪聲系統領先國內其他品牌。
唯捷創新
成立于2010年,總部位于天津。該公司主要從事射頻與高端模擬集成電路的設計、生産與銷售。
國民飛骧
2015年從A股上市公司國民技術中分拆獨立出來,原爲國民技術的無線射頻産品亊業部。2010年開始開發國産射頻功率放大器、射頻開關和4G射頻前端模塊。
銳迪科
紫光集團旗下的芯片設計廠商,該公司産品包括移動通信基帶芯片、射頻前端芯片、無線連接芯片、安全芯片、電
視芯片和圖像傳感器芯片等。
中科漢天下
漢天下電子創辦于2012年7月,是中國領先的射頻前端芯片和射頻SoC芯片的供應商,每年芯片的出貨量達7億顆。公司專注于射頻/模擬集成電路和SoC系統集成電路的開發,以及應用解決方案的研發和推廣。

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    四、MCU芯片:物聯網時代來臨,2022年MCU市場將破240億美元。

    物聯網浪潮已來,終端微控制器愈發重要。在無線網絡持續拓展、通信技術不斷演進、産業鏈日趨成熟背景下,物聯網技術可支持的應用場景不斷增加,發展潛力巨大。根據Gartner預測,2020年全球聯網設備數量將達到260億部,物聯網市場規模將達到1.9萬億元,並對社會生産、科技領域等産生深刻影響。微控制器(MCU)芯片是物聯網終端的控制節點,嵌入式應用的核心器件,因其高性能、低功耗、可編程、靈活性在消費電子、醫療電子、工業控制、汽車電子和通信等領域廣泛應用。物聯網浪潮來臨背景下,MCU的應用將更爲關鍵。

    創新應用驅動MCU需求上升,2022年全球市場將突破240億美元。受惠于嵌入式系統、傳感器以及物聯網終端應用熱潮,未來數年MCU市場和出貨將大幅增長。根據ICInsights數據,2018年MCU出貨量增長18%,市場規模增長11%,未來4年全球MCU市場年均複合增長7.2%,2022年有望突破240億美元。

全球MCU各應用領域占比

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全球MCU市場規模與增速

數據來源:公開資料整理

    受益可穿戴設備、智能家居等消費級市場,物聯網MCU高速增長,2019年市場規模達28億美元。
根據通信遠近,物聯網無線通信主要分爲兩類。

    一類是Zigbee、WiFi、藍牙、Z-wave等短距離通信技術,主要應用于智能家居、智能醫療、可穿戴設備等領域;

    另一類是LPWAN(低功耗廣域網)技術,包括NB-IoT、LoRA、Sigfox、eMTC等,主要應用于智慧城市、環境監測、智能抄表等領域。現階段Zigbee、WiFi、藍牙等短距離連接技術經過10余年發展,應用廣泛且産業成熟度相對較高。廣域網通信技術近年來發展迅速,且未來在公用事業領域和工業物聯網領域均具有廣闊的應用前景。

    根據預測,針對連網汽車、可穿戴電子設備、建築物自動化以及其他有關物聯網應用的MCU芯片市場將快速增長,預計2019年全球市場規模將達28億美元。

物聯網MCU市場規模與增速

數據來源:公開資料整理

    海外龍頭占據全球市場88%,頭部集中顯著。

    2015年開始,爲爭奪市場份額,布局強勁增長的物聯網市場,MCU廠商發生了數起大規模並購。2015年,NXP以118億美元收購飛思卡爾,完成在汽車電子領域的布局,市占率達19%,排名第一。2015年,Cypress以40億美元收購Spansion。2016年,Microchip完成對Atmel的收購,成爲第三大MCU廠商。據ICInsights統計,全球前八大MCU廠商市占率達88%,頭部集中顯著。

全球主要MCU企業及營收

排名
名稱
營收(億美元)
市場占有率
主要産品應用領域
1
NXP
29.14
19%
智能卡、汽車電子
2
Renesas
24.58
16%
汽車電子、通信設備
3
Microchip
20.27
14%
工業控制、汽車電子
4
Samsung
18.66
12%
消費電子
5
ST
15.73
10%
電機控制、物聯網
6
Infineon
11.06
7%
汽車電子、工業控制
7
TI
8.35
6%
工業控制、汽車電子
8
Cypress
6.22
4%
汽車電子、消費電子
-
其他
18.27
12%
-
-
合計
152.28
100%
-

數據來源:公開資料整理

    部分國産MCU公司已實現局部突破,但整體收入規模尚小。

    目前國際廠商在技術、資金和人才等方面均明顯占優,面對國內物聯網MCU市場增長,國産廠商需加大研發投入,提升技術能力。現階段國産公司在物聯網MCU的研發投入相對有限,研發設備、人員投入和一線廠商存在差距,因此整體競爭力和收入規模仍偏小

國內MCU領域主要公司業務概況

名稱
MCU營收
MCU産品
應用領域
中穎電子
4.5億元
4、8位MCU
家電、汽車電子、醫療器械、儀器儀表
兆易創新
4.04億元
Cortex-M332位MCU
工業控制、消費電子、電信設備、汽車電子
晟矽微電
2.32億元
8、32位MCU
小家電、消費電子、工業控制
卓勝微
840萬元
低功耗藍牙MCU
可穿戴設備
北京君正
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相關報告:智研咨詢發布的《2019-2025年中國射頻前端模塊行業市場研究及投資前景預測報告

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